LSIC1MO120E0080 系列 - 增强模式碳化硅MOSFET,1200 V,80 mOhm,N通道

Littelfus碳化硅(SiC)MOSFET LSIC1MO120E0080 1200 V额定电压为1200 V,额定电阻为80 mOhm,采用TO-247-3L封装。

 

功能与特色:

  • 专为高频、高效应用优化
  • 极低栅极电荷和输出电容
  • 低栅极电阻,适用于高频开关
  • 在各种温度条件下保持常闭状态
  • 超低导通电阻

应用:

  • 太阳能逆变器
  • 开关模式电源设备
  • UPS系统,电机驱动器
  • 高压直流/直流转换器
  • 电池充电器和感应加热

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Catalog #Voltage Rating (V)Typical On-Resistance (mOhm)Current Rating (A)TJ Max (°C)Driving Voltages (V)Switching Energy (uJ)Gate Charge (nC)ConfigurationPackage TypeRoHSStock
产品号额定电压(V)导通电阻典型值(mOhm)额定电流(A)最大TJ(°C)驱动电压(V)转换能量(uJ)栅极电荷(nC)配置封装
类型
RoHS库存
LSIC1MO120E00801200802515020/-533095N-ChannelTO-247-3L查看