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AQ1026背对背二极管采用专有的硅雪崩技术制造。这种二极管可为电子设备提供较高水平的ESD(静电放电)保护。AQ1026 TVS可以在±30kV(接触放电,IEC 61000-4-2)下安全地吸收反复性ESD震击,而不会造成性能下降。此外,每个二极管还可在极低的箝位电压下安全耗散5A的8/20μs浪涌电流(IEC 61000-4-5第2版)。