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采用专有的硅雪崩技术，将背对背齐纳二极管组合在一起，为可能经历破坏性静电放电 （ESD）的电子设备提供高层次保护。这些功能强大的二极管可以在IEC61000-4-2国际标准中规定的最高级别（4级，8KV接触放电） 安全地吸收反复性ESD震击，且性能不会下降。其非常低的负载电容也使得它们成为保护高速信号管脚的理想之选。
- ESD，IEC61000-4-2，±8kV（触点），±15kV（空气）
- 耐受能力>1,000 ±8kV ESD震击
- 雷击，IEC61000-4-5，2A（tp=8/20µs）
- 每次输入/输出的电容为5pF （TYP）
- 5V下的（最大）低泄漏电流为1μA
- 小型SOT953封装
SP1004零件
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