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雪崩击穿二极管采用专有的硅雪崩技术，可保护每个输入/输出引脚，为可能经历破坏性静电放电 （ESD）的电子设备提供高层次保护。这些功能强大的二极管可以在±30kV（接触放电和空气放电，IEC 61000-4-2）下安全地吸收反复性ESD震击，而不会造成性能减退。此外，每个二极管还可在极低的箝位电压下安全耗散80A（SP1105S）的8/20μs浪涌电流（IEC 61000-4-5第2版）。
- ESD，IEC 61000-4-2，±30kV接触放电，±30kV空气放电
- EFT，IEC 61000-4-4，40A（5/50ns）
- 雷击，IEC 61000-4-5第2版，80A（tP=8/20μs，SP1105S）
- 低箝位电压
- 泄露电流低
- 湿度灵敏性等级（MSL-1）
- 无铅，符合RoHS标准
- 符合AEC-Q101
SP11xx产品
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系列: SP11xx 资源
用于ESD保护的SP11xx系列瞬态抑制二极管阵列
了解这些超紧凑型分立单向瞬态电压浪涌抑制器件在有源USB接口中的功能和优势。