SP1112-01UTG - SP11xx系列

TVS Diode Array SP11xx Hi Res
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雪崩击穿二极管采用专有的硅雪崩技术,可保护每个输入/输出引脚,为可能经历破坏性静电放电 (ESD)的电子设备提供高层次保护。 这种二极管功能强大,可安全吸收±30kV(接触和空气放电,IEC 61000-4-2)的反复性ESD冲击,性能不会下降。 此外,每个二极管还可在很低的箝位电压下安全耗散80A(SP1105S)的8/20μs浪涌电流(61000-4-5第2版)。

特征和优势:

  • ESD,IEC 61000-4-2,±30kV接触放电,±30kV空气放电
  • EFT,IEC 61000-4-4,40A(5/50ns)
  • 雷击,IEC61000-4-5第2版,80A(tP=8/20μs,SP1105S)
  • 低箝位电压
  • 泄露电流低
  • 湿度灵敏性等级(MSL-1)
  • 无铅,符合RoHS标准
  • 符合AEC-Q101

应用:

  • 开关/按钮
  • 测试设备/仪器
  • 销售点终端机
  • 医疗设备
  • 笔记本电脑/台式机/服务器
  • 计算机外围设备
  • 汽车电子产品

pdficon ESD System Level Guide

Designers of today’s electronic devices have demanded more functionality with greater flexibility and higher levels of user interaction...

pdficon Littelfuse TVS Diode Array SP11xx Datasheet

产品编号 零件描述 RoHS 无铅 RoHS (2015/ 863/EU)认证 REACH(SVHC's)声明 无卤素 REACH(SVHC's) IPC-材料声明
SP1112-01UTG 30KV 12V 40A TVS Diod uDFN-2 RoHS 03/21/2018 PbFree 03/21/2018 REACH205_Declaration_SP1112-01UTG
03/21/2018
不含 IPC_SP1112-01UTG_EK
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