瞬态抑制二极管阵列
瞬态抑制二极管阵列（SPA™瞬态抑制二极管阵列）
Littelfuse瞬态抑制二极管阵列（SPA™瞬态抑制二极管阵列）设计用于保护电子设备免受通常具有破坏力的快速瞬态电压的破坏，例如雷击和静电放电（ESD）。 它们为电脑和便携式消费电子产品市场提供了针对输入/输出接口和数字与模拟信号线的理想保护方案。
Littelfuse瞬态抑制二极管阵列可提供包括DIP、SOIC、MSOP、SOT23、SOT143、SC70、SOT5x3、SOT953、µDFN、SOD723和倒装在内的多种封装配置。
Littelfuse瞬态抑制二极管阵列拥有较低的电容、泄漏电流和箝位电压，可提供高级别的保护（根据IEC 61000-4-2标准，电压高达30kV）。 SP03-xx和SP30xx器件可用于更严酷的应用条件，能够防止EFT和雷击瞬变威胁，符合IEC-61000-4-4/5标准。
静电放电（ESD）是一种电瞬态现象，可对电子电路造成严重威胁。 最常见的原因是由于两种不同材料相互摩擦而造成电荷在表面积聚。 通常，其中的一个表面为人体，静电荷经常高达15,000伏。 当静电电压达到6,000伏时，如发生ESD，则会令人体感到痛苦。 较低的放电电压可能不会引起人们注意，不过也会对电子元件和电路造成灾难性的损坏。