MOSFET
X2
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SMPS中主要的开关晶体管
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较低的Rds(on): 低栅极电荷、dv/dt强度
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IGBT
MIXA, MIXG
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切换电源
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采用薄晶圆技术的坚固耐用的设计;额定短路耐受能力10 μsec,低栅极电荷;低EMI和具有竞争优势的低Vce(sat)
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二极管模块
SP3213, PESD
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切换电源 |
采用薄晶圆技术的坚固耐用的设计;额定短路耐受能力10 μsec,低栅极电荷;低EMI和具有竞争优势的
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二极管阵列
SP1012, SP1003, AQxx-02HTG
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保护敏感电子零件免受瞬态电压影响
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超低电容;紧凑型封装;低箝位电压、低泄漏电流;业内现有最小的尺寸(0201) |
瞬态抑制二极管
SMCJ, P6KE, P6SMB
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保护敏感电子元件免受瞬态电压影响 |
600 W峰值脉冲功率;钝化玻璃芯片接点 |
聚合物ESD抑制器
PGB10603, PGB10402
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保护Wi-Fi芯片组免受用户引起的ESD事件影响 |
超低电容;紧凑型封装;低泄漏电流;快速响应 |
TVS阵列
SPXX, SACB, SMAJ, SMBJ, PESD, SP3213, SM712
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保护集成电路免受ESD影响 |
出色的箝位能力,每个输入/输出电容低至1.0 pF |
栅极驱动器
IX4340 |
用于功率MOSFET的 高压侧和低压侧栅极驱动器
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可承受高达5 A的源电流和灌电流 |
可控硅整流器
SJxx08xSx/SJxx08xx |
触发机电继电器以便 在故障期间断开电接触
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耐压能力高达600 V; 浪涌保护能力最高可达100 A
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MOV
LA, C-III, UltraMOV |
保护动力设备免受雷击和交流线路上其他瞬态电压的影响 |
可以满足宽泛的浪涌耐受 规格要求: 40 J – 530 J (2 mS)
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