碳化硅MOSFET


LSIC1MO120E0080 规格书系列详细资料预订样品增强模式碳化硅MOSFET，1200 V，80 mOhm，N通道额定电压（V）: 1200 导通电阻典型值（mOhm）: 80 额定电流（A）: 25	LSIC1MO120E0120 规格书系列详细资料预订样品增强模式碳化硅MOSFET，1200 V，120 mOhm，N通道额定电压（V）: 1200 导通电阻典型值（mOhm）: 120 额定电流（A）: 18	LSIC1MO120E0160 规格书系列详细资料预订样品增强模式碳化硅MOSFET，1200 V，160 mOhm，N通道额定电压（V）: 1200 导通电阻典型值（mOhm）: 160 额定电流（A）: 14
LSIC1MO170E1000 规格书系列详细资料预订样品增强模式碳化硅MOSFET，1700 V，1 Ohm，N通道额定电压（V）: 1700 导通电阻典型值（mOhm）: 750 额定电流（A）: 3.5


LSIC1MO120E0080 规格书系列详细资料预订样品增强模式碳化硅MOSFET，1200 V，80 mOhm，N通道额定电压（V）: 1200 导通电阻典型值（mOhm）: 80 额定电流（A）: 25	LSIC1MO120E0120 规格书系列详细资料预订样品增强模式碳化硅MOSFET，1200 V，120 mOhm，N通道额定电压（V）: 1200 导通电阻典型值（mOhm）: 120 额定电流（A）: 18	LSIC1MO120E0160 规格书系列详细资料预订样品增强模式碳化硅MOSFET，1200 V，160 mOhm，N通道额定电压（V）: 1200 导通电阻典型值（mOhm）: 160 额定电流（A）: 14
LSIC1MO170E1000 规格书系列详细资料预订样品增强模式碳化硅MOSFET，1700 V，1 Ohm，N通道额定电压（V）: 1700 导通电阻典型值（mOhm）: 750 额定电流（A）: 3.5