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SP1011-04UTG

产品状态| 已淘汰i

SP1011-04UTG

4 Ch 15KV 5V瞬态抑制二极管阵列uDFN | 系列号:SP1011
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雪崩击穿二极管采用专有的硅雪崩技术,可保护每个输入/输出引脚,为可能经历破坏性静电放电 (ESD)的电子设备提供高层次保护。这些功能强大的二极管可以安全地吸收高于IEC61000-4-2国际标准规定的最高级别(4级,±8kV接触放电)的反复性ESD放电,且性能不会下降。负载电容非常低,使其成为保护高速信号插脚的理想之选。

参数数值
VR (V型断态
6
ESD触点(kV)
15
ESD空气(kV)
30
闪电抗扰度(8x20μs)(A)
2
箝位电压
7.8V@1mA
CI/O TYP (pF)
7
极性
双向
通道
4
封装
uDFN1210-6L
记录类型
H
项目记录
0
箝位Voltage_string
7.8V@1mA
  • 符合RoHS标准,无铅
  • ESD,IEC 61000-4-2,±15kV接触放电,±30kV空气放电
  • 雷击,2A(IEC 61000-4-5第2版定义的8/20μs)
  • 电压为2.5V时每个输入/输出端的低电容为7pF(TYP)
  • 5V下的低泄漏电流为1μA(最大值)
  • 微型μDFN(JEDEC MO-229)封装(1.25mm x 1.0mm x 0.5mm)
  • EFT保护、IEC 61000-4-4、40A(5/50ns)

SP1011-04UTG 应用

亮点部分

  • LCD/PDP电视
  • DVD播放机
  • 台式电脑
  • 机顶盒
  • 手机
  • 笔记本电脑
  • MP3/PMP
  • 数码相机

SP1011-04UTG资源

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产品号零件描述RoHS无铅RoHS(2015/863/EU)认证REACH(SVHC)声明REACH(SVHC)无卤素IPC-材料声明
SP1011-04UTG4 Ch 15KV 5V瞬态抑制二极管阵列uDFNRoHS2/9/2000Pb-Free1/1/2010Pdf IconCoC_RoHS10_SP1011-04UTGPdf IconREACH211_Declaration_SP1011-04UTG不含Pdf IconIPC_SP1011-04UTG_EH

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