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SP1026背对背二极管采用专有的硅雪崩技术制造。这种二极管可为电子设备提供较高水平的ESD（静电放电）保护。SP1026 TVS可安全吸收±30kV（接触放电，IEC 61000-4-2）的反复性ESD冲击，性能不会下降。此外，每个二极管还可在极低的箝位电压下安全耗散5A的8/20μs浪涌电流（IEC 61000-4-5）。
- ESD，IEC 61000-4-2，±30kV接触放电，±30kV空气放电
- EFT，IEC 61000-4-4，40A（5/50ns）
- 雷击，5A（8/20μs，如IEC 61000-4-5第2版所定义）
- 5V下的（最大）低泄漏电流为0.5μA
- 紧凑型封装尺寸（0201）
- 无卤素，无铅，符合RoHS
- μDFN-2封装元件
- 符合AEC-Q101
SP1026零件
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