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雪崩击穿二极管采用专有的硅雪崩技术，可保护每个输入/输出引脚，为可能经历破坏性静电放电 （ESD）的电子设备提供高层次保护。该二极管功能强大，可安全吸收±30kV（接触放电，IEC 61000-4-2）时反复性ESD震击，性能无任何降低。此外，每个二极管可在钳位电压极低的情况下，安全承受2.5A浪涌(IEC 61000-4-5第2版定义的8/20波形）。
- ESD，IEC 61000-4-2，±30kV接触放电，±30kV空气放电
- EFT，IEC 61000-4-4，40A（5/50ns）
- 雷击，2.5A (IEC 61000-4-5第2版定义的8/20)
- 电容低至25.5 pF (@ VR=0V)
- 电压为5V时的低泄漏电流为0.02μA（典型值）
- 单向解决方案的动态电阻仅为双向保护装置的一半
- 业内最小的ESD封装尺寸（01005 DFN塑料）
- 湿度灵敏性等级(MSL -1)
- 无卤素，无铅，符合RoHS要求
- 符合AEC-Q101
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