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SP1103C内含瞬态抑制二极管，该二极管采用专有的硅雪崩技术，可保护每个输入/输出引脚，为可能经历破坏性静电放电 （ESD）的电子设备提供高层次保护。这种二极管功能强大，可安全吸收±30kV（接触放电，IEC 61000-4-2）时反复性ESD震击，而性能无任何降低。此外，每个二极管还可在极低的箝位电压下安全耗散80A的8/20ms浪涌电流（IEC61000-4-5，第2版）。
- ESD，IEC 61000-4-2，±30kV接触放电，±30kV空气放电
- EFT，IEC 61000-4-4，40A（5/50ns）
- 雷击，IEC 61000-4-5第2版，80A（tP=8/20μs）
- 低箝位电压
- 泄露电流低
- 湿度灵敏性等级（MSL-1）
- 无卤素，无铅，符合RoHS
- 符合AEC-Q101
SP1103C产品
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