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1KSMB68C
TVS Diode 1K SMB Suf MT T&R 10% Vbr | Series: 1KSMB
1KSMB系列专门用于保护敏感电子设备，使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起的瞬态电压影响。
| 参数 | 数值 |
|---|---|
VR（Vso） | 55.1 |
瓦特（W） | 1000 |
I PP 10x1000μs （A） | 10.2 |
MIN VBR@IT (V) | 61.2 |
最大 VBR@IT （V） | 74.8 |
最大箝位电压（Vc）（V） | 96.6 |
IT （mA） | 1 |
Ir@Vr(µA) | 1 |
最高工作温度 （°C） | 150 |
极性 | 双极 |
封装 | DO-214AA |
峰值脉冲功率 - 10x1000 | 1000 |
极性支架 | 双极 |
浪涌寿命 | 10.2 |
容差百分比 | 10 |
- 无卤素
- 符合RoHS标准
- 可优化电路板空间的表面贴装型产品
- 小尺寸封装
- 内置式应力消除
- 典型最高温度系数ΔVBR = 0.1% × VBR@25°C x ΔT
- 钝化玻璃芯片接点
- 1 kW peak pulse power capability at 10/1000μs, repetition rate (duty cycles): 0.01 %
- 快速响应时间，从 0 V 到 BV 最小值通常小于 1 ps
- 出色的箝位能力
1KSMB68C资源
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| 产品号 | 零件描述 | RoHS | 无铅 | RoHS（2015/863/EU）认证 | REACH（SVHC's）声明 | REACH（SVHC's） | 无卤素 | IPC-材料声明 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1KSMB68C | TVS Diode 1K SMB Suf MT T&R 10% Vbr |  1/1/2005 | 否 | 否 | 查看更多 |
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