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IX4351NEAU
碳化硅 MOSFET 驱动器 9A 16L SOIC EXP PAD TR | 系列号：符合AEC-Q100标准的低侧碳化硅驱动器
9A低侧SiC MOSFET和IGBT驱动器
| 参数 | 数值 |
|---|---|
峰值驱动电流 | 9 |
输出电阻拉/灌（Ω） | 2 / 1.5 |
逻辑配置 | 同相 |
使能功能 | 否 |
欠电压锁定最大阈值（V） | 10 |
IC封装类型 | 带裸露散热焊盘的 16 引脚功率 SOIC |
- 内部电荷泵稳压器，可选择负栅极驱动偏置电压，低至-10 V
- +工作电压范围：13 V至+25 V
- DESAT检测、UVLO、TSD、故障输出
- 兼容TTL/CMOS的逻辑输入，集成电平转换器
- 热增强型窄体SOIC-16封装
- 负电压栅极驱动可提高dV/dt抗扰度，无需单独的负电源
- 可驱动任何SiC-MOSFET和IGBT
- 保护驱动器和功率器件
- 无需输入逻辑电平转换器
IX4351NEAU 应用
- 电动汽车充电器和直流充电站
- 轻工业/电机、逆变器或整流器
- PFC、AC/DC和DC/DC转换器
- 转换器
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| 产品号 | 零件描述 | RoHS | 无铅 | RoHS（2015/863/EU）认证 | REACH（SVHC）声明 | REACH（SVHC） | 无卤素 | IPC-材料声明 | |
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