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IX4351NE
碳化硅 MOSFET 驱动器 9A 16L SOIC EXP PAD | 系列号：带电荷泵的低侧驱动器
IX4351NE专为驱动碳化硅MOSFET和大功率IGBT而设计。独立的9A拉/灌电流输出，支持量身定制的导通和关断时序，同时将开关损耗降至最低。内部负电荷调节器提供可选的负栅极驱动偏置，以提高dV/dt抗扰度和更快的关断速度。
去饱和检测电路可检测碳化硅MOSFET的过电流情况，并启动软关闭，从而防止潜在的破坏性dV/dt事件。逻辑输入兼容TTL和CMOS；即使使用负栅极驱动偏置电压，该输入也不需要进行电平转换。保护功能包括UVLO和热关断检测。开漏故障输出向微控制器发出故障信号。
IX4351NE的额定工作温度范围为-40°C至+125°C，采用热增强型16引脚功率SOIC封装。
| 参数 | 数值 |
|---|---|
峰值驱动电流 | 9 |
输出电阻拉/灌（Ω） | 2 / 1.5 |
逻辑配置 | 同相 |
使能功能 | 否 |
欠电压锁定最大阈值（V） | 10 |
IC封装类型 | 带裸露散热焊盘的 16 引脚功率 SOIC |
- 独立的 9 A 峰值拉/灌电流输出
- 工作电压范围：-10 V至+25 V
- 内部负电荷泵调节器，用于可选负栅极驱动偏压
- 使用软关断灌电流驱动器进行去饱和检测
- 输入兼容TTL和CMOS
- 欠压锁定电路 (UVLO)
- 热关断
- 开漏故障输出
IX4351NE 资源
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| 产品号 | 零件描述 | RoHS | 无铅 | RoHS（2015/863/EU）认证 | REACH（SVHC）声明 | REACH（SVHC） | 无卤素 | IPC-材料声明 | |
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