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SiCMOSFET 和 IGBT 驱动器集成电路

碳化硅 MOSFET 和 IGBT 驱动器集成电路控制固态开关的工作。Littelfuse 制造的集成电路专门用于驱动低端开关,将浪涌电压分流到地。这些驱动器通常与碳化硅金属氧化半导体场效应晶体管和绝缘栅双极晶体管搭配使用,用于车载电池充电器、DC-DC 转换器和电机控制器。我们的一款驱动集成电路符合 AEC-Q100 标准,可用于汽车和电动汽车。
  • 峰值额定工作电压为-10V至+25V
  • 峰值工作电流为9A
  • 额定输出-灌入电阻为1.5Ω或2.0Ω
  • 工作温度范围为-40°C至+125 ℃
  • 带裸露散热焊盘的16引脚功率SOIC封装
  • 获得无铅且符合RoHS标准的认证
  • 接受TTL和CMOS输入
  • 分离的拉/灌输出允许用户定制导通和关断时序
  • 匹配的上升和下降时间将开关损耗降至最低
  • 低传播延迟确保电流的连续流动
  • 去饱和检测触发过压保护
  • 软关断可防止换向故障
  • 欠压锁定可防止电路间的杂散脉冲
  • 热关断可保护组件免因过热事件而损坏
  • 开漏故障检测有助于微控制器进行自动校正
  • 兼容回流焊接工艺

SiCMOSFET和IGBT驱动器集成电路零件

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