系列: 符合AEC-Q100标准的低侧碳化硅驱动器

IX4351NE专为驱动碳化硅MOSFET和大功率IGBT而设计。独立的9A拉/灌电流输出，支持量身定制的导通和关断时序，同时将开关损耗降至最低。内部负电荷调节器提供可选的负栅极驱动偏置，以提高dV/dt抗扰度和更快的关断速度。

去饱和检测电路可检测碳化硅MOSFET的过电流情况，并启动软关闭，从而防止潜在的破坏性dV/dt事件。逻辑输入兼容TTL和CMOS；即使使用负栅极驱动偏置电压，该输入也不需要进行电平转换。保护功能包括UVLO和热关断检测。开漏故障输出向微控制器发出故障信号。

IX4351NEAU为AEC-Q100 1级，额定工作环境温度范围为-40°C至+125°C，可采用热增强型16引脚窄体SOIC封装。