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IXBT16N170AHV
盘式IGBT BiMosfet-高电压TO-268AA | 系列号：高电压
BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMOSFET大获成功。这种高压器件是并联的理想选择，因为饱和电压和本征二极管的正向压降均具有正电压温度系数。此外，“自由”本征体二极管还可用作保护二极管，为器件关断期间的电感负载电流提供替代路径，防止高Ldi/dt瞬态电压损坏器件。
| 参数 | 数值 |
|---|---|
VCES (V) | 1700 |
IC @ 25 °C （A） | 16 |
VCE（sat）（V） | 6 |
tfi (ns) | 50 |
配置 | Copack (FRED) |
封装 类型 | TO-268HV |
RthJC（K/W） | 0.83 |
IC @ 110 °C （A） | 10 |
- 高阻断电压
- 高功率密度
- 高电流处理能力
- 低传导损耗
- MOS栅极开启简单便捷
- 国际标准和专有 ISOPLUSTM 软件包
- 无需采用多个串并联的低压、低额定电流器件
- 简化系统设计
- 提高可靠性
- 减少元件数量
- 降低系统成本
IXBT16N170AHV 应用
- 雷达传感器电源
- 雷达脉冲调制器
- 电容放电电路
- 高压电源
- AC开关
- HV断路器
- 脉冲电路
- 高压测试设备
- 激光和X射线发生器
IXBT16N170AHV资源
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| 产品号 | 零件描述 | RoHS | 无铅 | RoHS（2015/863/EU）认证 | REACH（SVHC）声明 | REACH（SVHC） | 无卤素 | IPC-材料声明 | |
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