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BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMOSFET大获成功。这种高压器件是并联的理想选择，因为饱和电压和本征二极管的正向压降均具有正电压温度系数。此外，“自由”本征体二极管还可用作保护二极管，为器件关断期间的电感负载电流提供替代路径，防止高Ldi/dt瞬态电压损坏器件。
优势：
- 较低的栅极驱动要求
- 节省空间（无需采用多个串并联的低压、低额定电流器件）
- 安装简便
- “自由”本征体二极管
- 高功率密度
- 高频运行
- 低传导损耗
- MOS栅极开启简单便捷
- 4000V电气绝缘
超高电压部件
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筛选
超高电压 应用
- 开关模式和谐振模式电源
- 不间断电源（UPS）
- 激光和X射线发生器
- 电容放电电路
- 高压脉冲电路
- 高压测试设备
- AC开关
