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IXBA10N300HV

产品状态| 不适用于新设计i
Littelfuse Power Semi TO-263HV 2 2C image

IXBA10N300HV

盘式IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-263D2 | 系列号：超高电压
info

BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMOSFET大获成功。这种高压器件是并联的理想选择，因为饱和电压和本征二极管的正向压降均具有正电压温度系数。此外，“自由”本征体二极管还可用作保护二极管，为器件关断期间的电感负载电流提供替代路径，防止高Ldi/dt瞬态电压损坏器件。

优势：

  • 较低的栅极驱动要求
  • 节省空间（无需采用多个串并联的低压、低额定电流器件）
  • 安装简便
参数数值
状态
不适用于新设计
VCES (V)
3000
IC @ 25 °C （A）
34
VCE（sat）（V）
2.8
配置
Copack (FRED)
封装
类型
TO-263HV
tf (ns)
1850
RthJC（K/W）
0.69
IC @ 110 °C （A）
10
驱动电压（V）
15
  • 自由本征体二极管
  • 高功率密度
  • 高频运行
  • 低传导损耗
  • MOS栅极开启简单便捷
  • 4 kV电气绝缘

IXBA10N300HV 应用

亮点部分

  • 开关模式和谐振模式电源
  • 不间断电源（UPS）
  • 激光和X射线发生器
  • 电容放电电路
  • 高压脉冲电路
  • 高压测试设备
  • AC开关

IXBA10N300HV资源

TO-263-2L 3D Model
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产品号零件描述RoHS无铅RoHS（2015/863/EU）认证REACH（SVHC）声明REACH（SVHC）无卤素IPC-材料声明
IXBA10N300HV盘式IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-263D2

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