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IXBT20N300HV
盘式IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-268AA | 系列号：超高电压
BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMOSFET大获成功。这种高压器件是并联的理想选择，因为饱和电压和本征二极管的正向压降均具有正电压温度系数。此外，“自由”本征体二极管还可用作保护二极管，为器件关断期间的电感负载电流提供替代路径，防止高Ldi/dt瞬态电压损坏器件。
优势：
- 较低的栅极驱动要求
- 节省空间（无需采用多个串并联的低压、低额定电流器件）
- 安装简便
| 参数 | 数值 |
|---|---|
状态 | 不适用于新设计 |
VCES (V) | 3000 |
IC @ 25 °C （A） | 50 |
VCE（sat）（V） | 3.2 |
配置 | Copack (FRED) |
封装 类型 | TO-268HV |
tf (ns) | 504 |
RthJC（K/W） | 0.5 |
IC @ 110 °C （A） | 20 |
驱动电压（V） | 15 |
- 自由本征体二极管
- 高功率密度
- 高频运行
- 低传导损耗
- MOS栅极开启简单便捷
- 4 kV电气绝缘
IXBT20N300HV 应用
- 开关模式和谐振模式电源
- 不间断电源（UPS）
- 激光和X射线发生器
- 电容放电电路
- 高压脉冲电路
- 高压测试设备
- AC开关
IXBT20N300HV资源
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| 产品号 | 零件描述 | RoHS | 无铅 | RoHS（2015/863/EU）认证 | REACH（SVHC's）声明 | REACH（SVHC's） | 无卤素 | IPC-材料声明 | |
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