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T1375DF65E
| 系列号：密封型
作为压装IGBT技术的开创者，我们能够提供多种一流的器件，额定电压分别为1.7kV（900V直流链）、2.5kV（1.25kV直流链）、3.3kV（1.8kV直流链）、4.5kV（2.8kV直流链）以及6.5kV（3.6kV直流链）。这些器件的构造完全不包含电线和焊接接缝，这几乎完全消除了传统模块无法避免的机械疲劳问题。相比传统模块，栅极引线和发射极连接线中的内部杂散电感得以大幅减少，从而改进强度和短路特性，而芯片发射极侧的直接冷却也使这些性能得到了进一步的增强。
有关其他技术细节，请联系支持人员。
| 参数 | 数值 |
|---|---|
VCES (V) | 6500 |
ICM (A) | 2750 |
VCE（sat）（V） | 5.1 |
接通能量（焦） | 11.6 |
Eoff (J) | 8.1 |
适合搭配器件 | 待定 |
TJ Max (°C) | 125 |
封装 类型 | W96系列 |
状态 | 有源 |
集电极额定电流 | 1375 |
热阻 - 结热片 - IGBT | 0.0062 |
T1375DF65E资源
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| 产品号 | 零件描述 | RoHS | 无铅 | RoHS（2015/863/EU）认证 | REACH（SVHC's）声明 | REACH（SVHC's） | 无卤素 | IPC-材料声明 | |
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