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IXGF30N400

产品状态| 不适用于新设计i

IXGF30N400

DiscIGBT NPT-Very Hi Voltage I4-PAK ISO+ | 系列号:超高电压
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NPT IGBT拥有方形RBSOA和10 us的短路耐受能力。具有正温度系数Vce(sat),是并联的理想选择。该系列产品是电机驱动应用的首选。

借助这种IGBT,电路中原本采用多个级联低压开关的系统现在可以采用单一器件。此类器件整合可减少功率器件的数量,同时通过去除复杂的驱动和电压平衡元件,改善成本和效率。在原本采用高压SCR的系统中,采用这种VHV IGBT可为设计人员提供便于实现信号调制方案的真正开关,进而提高效率、简化波形成型并实现负载断开以提高系统安全性。另外还可取代传统的高压EMR和放电继电器,简化系统并提高整体可靠性。

参数数值
VCES (V)
4000
IC @ 25 °C (A)
30
VCE(sat)(V)
3.1
配置
单相
封装
类型
I4-PAK
状态
不适用于新设计
tf (ns)
514
RthJC [IGBT] (K/W)
0.78
IC @ 110 °C (A)
15
  • 高阻断电压
  • 高峰值电流能力
  • 高功率密度
  • 低饱和电压
  • International standard and proprietary ISOPLUSTM packages

IXGF30N400 应用

亮点部分

  • 脉冲电路
  • 电容放电电路
  • 高压电源
  • 高压测试设备
  • 激光和X射线发生器

IXGF30N400资源

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产品号零件描述RoHS无铅RoHS(2015/863/EU)认证REACH(SVHC's)声明REACH(SVHC's)无卤素IPC-材料声明
IXGF30N400DiscIGBT NPT-Very Hi Voltage I4-PAK ISO+

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