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IXGH48N60B3C1
Disc IGBT PT-Mid Frequency TO-247AD | Series: 中频
GenX3™ IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。
300V GenX3™ IGBTs offer switching capabilities up to 150 kHz, with currents ranging from 42A to 120A.由于兼具高开关速度和低传导损耗，它为电源设计人员提供了开关应用的全新高价值选择。这些UIS额定设备坚固可靠，可媲美多数坚固的电源MOSFET。
600V GenX3™针对高电流应用进行了优化，这类应用需要高达200 kHz的软开关频率和40 kHz的硬开关频率。这些器件采用了我们久经考验的打穿（PT）技术，该技术可提高浪涌电流性能、降低饱和电压及减少能量损失，为设计人员提供600V范围下开关应用的全新可行方案。
1200V GenX3™采用了我们先进的打穿(PT)技术以降低饱和电压、减少开关损耗并提高浪涌电流性能。这一不断扩增的产品线针对高压电源转换市场。
为实现最优的产品选择，设计人员可从A3、B3和C3这三个子类别中进行选择。这些分类可提供更高的系统设计灵活性，并让设计人员能够平衡开关频率、效率和成本等关键要求。
| 参数 | 数值 |
|---|---|
VCES (V) | 600 |
IC @ 25 °C （A） | 75 |
VCE（sat）（V） | 1.8 |
tfi (ns) | 116 |
配置 | Copack (SiC) |
封装 类型 | TO-247U |
状态 | 已淘汰 |
RthJC [IGBT] (K/W) | 0.42 |
Eoff @ 125 °C (mJ) | 1.3 |
IC @ 110 °C （A） | 48 |
RthJC [二极管] (K/W) | 0.9 |
正向电流 @ 110 °C （A） | 20 |
- 高电流处理能力
- 国际标准包装
- 针对低导通和开关损耗进行了优化
- 超快反并联二极管（可选）
- 雪崩评级
- 方形RBSOA
- 300V范围内MOSFET的低成本替代选择
- MOS栅极开启简单便捷
- 高频IGBT
IXGH48N60B3C1 应用
- 电源逆变器
- UPS
- 电机驱动器
- SMPS
- PFC电路
- 电池充电器
- 焊接机
- 灯镇流器
- 突入电流保护电路
- Dc choppers
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| 产品号 | 零件描述 | RoHS | 无铅 | RoHS（2015/863/EU）认证 | REACH（SVHC's）声明 | REACH（SVHC's） | 无卤素 | IPC-材料声明 | |
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