IXGR35N120B

GenX3™ IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。

300V GenX3™ IGBTs offer switching capabilities up to 150 kHz, with currents ranging from 42A to 120A.由于兼具高开关速度和低传导损耗，它为电源设计人员提供了开关应用的全新高价值选择。这些UIS额定设备坚固可靠，可媲美多数坚固的电源MOSFET。

600V GenX3™针对高电流应用进行了优化，这类应用需要高达200 kHz的软开关频率和40 kHz的硬开关频率。这些器件采用了我们久经考验的打穿（PT）技术，该技术可提高浪涌电流性能、降低饱和电压及减少能量损失，为设计人员提供600V范围下开关应用的全新可行方案。

1200V GenX3™采用了我们先进的打穿(PT)技术以降低饱和电压、减少开关损耗并提高浪涌电流性能。这一不断扩增的产品线针对高压电源转换市场。

为实现最优的产品选择，设计人员可从A3、B3和C3这三个子类别中进行选择。这些分类可提供更高的系统设计灵活性，并让设计人员能够平衡开关频率、效率和成本等关键要求。