系列: 高电压

这些器件采用我们专有的XPT™薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、低能量损耗和快速切换等特点。凭借通态电压的正温度系数，这些高压IGBT可用于并联，相比串联低电压器件更加经济高效。因此，这可减少相关的栅极驱动电路、简化设计并提升整体系统的可靠性。

选配的代加工快速恢复二极管具有较短的反向恢复时间，并且经过优化，可产生平滑的开关波形并显著减少电磁干扰(EMI)。

优势：

• 效率更高
• 无需串联多个器件
• 提供电力系统的可靠性