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IXYF16N250CV1
盘式IGBT XPT-高电压I4-PAK ISO+ | 系列号：高电压
这些器件采用我们专有的XPT™薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、低能量损耗和快速切换等特点。凭借通态电压的正温度系数，这些高压IGBT可用于并联，相比串联低电压器件更加经济高效。因此，这可减少相关的栅极驱动电路、简化设计并提升整体系统的可靠性。
选配的代加工快速恢复二极管具有较短的反向恢复时间，并且经过优化，可产生平滑的开关波形并显著减少电磁干扰(EMI)。
优势：
- 效率更高
- 无需串联多个器件
- 提供电力系统的可靠性
| 参数 | 数值 |
|---|---|
状态 | 有源 |
VCES (V) | 2500 |
IC @ 25 °C （A） | 26 |
VCE（sat）（V） | 4 |
tfi (ns) | 250 |
配置 | Copack (FRED) |
封装 类型 | I4-PAK |
RthJC [IGBT] (K/W) | 0.83 |
Eoff @ 150 °C (mJ) | 4.4 |
IC @ 110 °C （A） | 14 |
RthJC [二极管] (K/W) | 1.5 |
正向电流 @ 110 °C （A） | 9 |
- XPT™薄晶圆技术
- 较低的通态电压VCE(sat)
- 代加工快速恢复二极管
- 正温度系数VCE（sat）
- 国际标准尺寸高压封装
IXYF16N250CV1 应用
- 脉冲电路
- 激光和X射线发生器
- 高压电源
- 高压检测设备
- 电容放电电路
- AC开关
IXYF16N250CV1资源
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| 产品号 | 零件描述 | RoHS | 无铅 | RoHS（2015/863/EU）认证 | REACH（SVHC）声明 | REACH（SVHC） | 无卤素 | IPC-材料声明 | |
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