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该系列器件通过最先进的GenX3™ IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT™)设计平台生产,具有高电流处理能力、高速开关功能、较低的总能量损失和较短的电流下降时间。它们具有正集电极发射极电压温度系数,让设计人员能够并联使用多个器件以满足高电流要求。
低栅极电荷还有助于降低栅极驱动要求和开关损耗。这些器件具有最高可达到击穿电压的方形反向偏压安全工作区(RBSOA)——无缓冲硬开关应用中必要的强度。
优势:
自动门和大门使建筑物更易于进入并提高安全性。请参考此方框图,找到有助于您工作的Littelfuse组件