链接已复制到剪贴板
IXYP20N65B3D1
Disc IGBT XPT-GenX3 TO-220AB/FP | Series: Planar
该系列器件通过最先进的GenX3™ IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT™)设计平台生产，具有高电流处理能力、高速开关功能、较低的总能量损失和较短的电流下降时间。它们具有正集电极发射极电压温度系数，让设计人员能够并联使用多个器件以满足高电流要求。
低栅极电荷还有助于降低栅极驱动要求和开关损耗。这些器件具有最高可达到击穿电压的方形反向偏压安全工作区(RBSOA)——无缓冲硬开关应用中必要的强度。
优点:
- 硬开关功能
- 高功率密度
- 较低的栅极驱动要求
| 参数 | 数值 |
|---|---|
VCES (V) | 650 |
IC @ 25 °C （A） | 58 |
VCE（sat）（V） | 2.1 |
tfi (ns) | 87 |
配置 | Copack (FRED) |
封装 类型 | TO-220U |
状态 | 已淘汰 |
RthJC [IGBT] (K/W) | 0.65 |
Eoff @ 150 °C (mJ) | 0.76 |
IC @ 110 °C （A） | 20 |
RthJC [二极管] (K/W) | 1.85 |
正向电流 @ 110 °C （A） | 23 |
- 针对中高开关频率进行了优化
- 方形RBSOA
- 短路功能
- 超快反并联二极管
- 国际标准封装
IXYP20N65B3D1 应用
- 电池充电器
- 电动自行车
- 灯镇流器
- 电源逆变器
- 电源功率因数校正（PFC）电路
- 开关模式电源
- 不间断电源（UPS）
- 焊接机
IXYP20N65B3D1资源
链接已复制到剪贴板显示 1 到 1 的 1 总结果
分享
| 产品号 | 零件描述 | RoHS | 无铅 | RoHS（2015/863/EU）认证 | REACH（SVHC's）声明 | REACH（SVHC's） | 无卤素 | IPC-材料声明 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXYP20N65B3D1 | Disc IGBT XPT-GenX3 TO-220AB/FP | 查看更多 |
如果您要查找的产品环境信息未出现在此选项卡中，请填写 产品环境信息申请表。