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IXYK85N120C4H1
盘式IGBT XPT Gen4 1200V 85A TO-264 | 系列号：沟槽
这些器件采用我们专有的XPT™薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热阻、低能量损耗、快速切换、低尾电流和高电流密度等特点。
这种IGBT具有650V至1200V的击穿电压，使其成为无缓冲硬开关应用的理想选择。其他特点包括正集电极发射极电压温度系数，这使设计人员能够并联多个器件以满足高电流要求，低栅极电荷有助于降低栅极驱动要求和开关损耗
优势：
- 硬开关功能
- 高功率密度
- 二极管正向电压的温度稳定性VF
- 较低的栅极驱动要求
| 参数 | 数值 |
|---|---|
VCES (V) | 1200 |
IC @ 25 °C （A） | 220 |
VCE（sat）（V） | 2.5 |
TJ Max (°C) | 175 |
tfi (ns) | 110 |
配置 | Copack (Sonic-FRD) |
封装 类型 | TO-264U |
状态 | 有源 |
Eoff @ 150 °C (mJ) | 3.3 |
IC @ 110 °C （A） | 85 |
RthJC [二极管] (K/W) | 0.16 |
RthJC（K/W） | 0.13 |
Ptot （W） | 1150 |
正向电流 @ 110 °C （A） | 140 |
- 低Vcesat、低Eon/Eoff
- 高浪涌电流能力和短路能力
- 正热系数Vcesat
IXYK85N120C4H1 应用
- 电池充电器
- 灯镇流器
- 电机驱动器
- 电源逆变器
- 焊接机械
IXYK85N120C4H1资源
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| 产品号 | 零件描述 | RoHS | 无铅 | RoHS（2015/863/EU）认证 | REACH（SVHC）声明 | REACH（SVHC） | 无卤素 | IPC-材料声明 | |
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| IXYK85N120C4H1 | 盘式IGBT XPT Gen4 1200V 85A TO-264 | 查看更多 |
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