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IXYN180N65A5
盘式IGBT XPT Gen5 650V A5 180A SOT-227B | 系列号：沟槽
这些器件采用我们专有的XPT™薄晶圆技术和最先进的第5代（GenX5™）Trench IGBT工艺研发，具有低热阻、低能量损耗、快速切换、低尾电流和高电流密度等特点。
这种IGBT具有击穿电压高达650V的方形反向偏压安全工作区(RBSOA)，使其成为无缓冲硬开关应用的理想选择。其他特点包括正集电极发射极电压温度系数，这让设计人员可并联多个器件以满足高电流要求，低栅极电荷则有助于降低栅极驱动要求并减少开关损耗。
优势：
- 硬开关功能
- 高功率密度
- 较低的栅极驱动要求
- 易于替换和供应绝缘封装
| 参数 | 数值 |
|---|---|
VCES (V) | 650 |
IC @ 25 °C （A） | 400 |
VCE（sat）（V） | 1.35 |
TJ Max (°C) | 175 |
tfi (ns) | 245 |
配置 | 单相 |
封装 类型 | SOT-227 |
状态 | 有源 |
Eoff @ 150 °C (mJ) | 5.8 |
IC @ 110 °C （A） | 180 |
RthJC（K/W） | 0.13 |
Ptot （W） | 1150 |
- 低Vcesat、低Eon/Eoff
- 针对低切换频率进行了优化
- 高浪涌电流能力
- 方形反向偏压安全工作区 (RBSOA)
- 正热系数Vcesat
IXYN180N65A5 应用
- 电池充电器
- 灯镇流器
- 电机驱动器
- 电源逆变器
- 焊接机械
IXYN180N65A5资源
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| 产品号 | 零件描述 | RoHS | 无铅 | RoHS（2015/863/EU）认证 | REACH（SVHC's）声明 | REACH（SVHC's） | 无卤素 | IPC-材料声明 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXYN180N65A5 | 盘式IGBT XPT Gen5 650V A5 180A SOT-227B | 查看更多 |
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