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IXYT55N120A4HV
Discrete IGBT XPT Gen 4 1200V TO268HV | 系列号：沟槽
通过利用XPT™薄晶圆技术和第4代 (GenX4™) Trench IGBT流程，这些高达1200V的器件有助于降低栅极驱动要求和传导损耗。具有低热阻、低损耗、高电流密度和低栅极电荷要求的特点。集电极至发射极电压温度系数为正，这使设计人员能够并联使用多个器件。
优势：
- 高功率密度和高浪涌电流、低损耗应用的理想选择
- 硬切换能力
- 器件轻松并联
- 降低栅极驱动要求
- 易于替换和供应绝缘封装
| 参数 | 数值 |
|---|---|
VCES (V) | 1200 |
IC @ 25 °C （A） | 175 |
VCE（sat）（V） | 1.8 |
tfi (ns) | 270 |
配置 | 单相 |
封装 类型 | TO-268HV |
状态 | 有源 |
RthJC [IGBT] (K/W) | 0.23 |
Eoff @ 150 °C (mJ) | 8.8 |
IC @ 110 °C （A） | 55 |
- 较低的通态电压Vcesat
- 正热系数Vcesat
- 国际标准包装
IXYT55N120A4HV 应用
- 电池充电器
- 灯镇流器
- 电源逆变器
- 不间断电源（UPS）
- 焊接机
IXYT55N120A4HV资源
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| 产品号 | 零件描述 | RoHS | 无铅 | RoHS（2015/863/EU）认证 | REACH（SVHC's）声明 | REACH（SVHC's） | 无卤素 | IPC-材料声明 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXYT55N120A4HV | Discrete IGBT XPT Gen 4 1200V TO268HV | 查看更多 |
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