低功率耗尽型

N沟道耗尽型场效应晶体管（FET）为汽车、工业和电信系统提供高度可靠的固态继电器门解决方案。高压N沟道MOSFET采用垂直双扩散金属氧化物半导体（DMOS）结构，占用空间小巧。这在不牺牲性能的情况下节省了PCB空间。这些器件的典型应用包括点火模块、电源转换器、电源和LED驱动器集成电路。