系列: N沟道耗尽型MOSFET

耗尽型MOSFET器件

我们的N沟道耗尽型场效应晶体管（FET）采用专有的第三代垂直DMOS工艺，在经济的硅栅极工艺中实现了世界级的高压MOSFET性能。垂直DMOS工艺为具有高输入阻抗的高功率应用提供了一种耐用的器件。这些高度可靠的FET器件广泛用于工业和电信应用的固态继电器中。