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CPC3960
N-CH DEPL MOSFET 600V 44 OHM SOT-223 TR | 系列号：N沟道耗尽型MOSFET
我们的N沟道耗尽型场效应晶体管（FET）采用专有的第三代垂直DMOS工艺。第三代工艺在经济的硅栅极工艺中实现了世界级的高压MOSFET性能。垂直DMOS工艺为具有高输入阻抗的高功率应用提供了一种耐用的器件。这些高度可靠的FET器件广泛用于工业和电信应用的固态继电器中。
| 参数 | 数值 |
|---|---|
状态 | 有源 |
BVDSX（V） | 600 |
RDS(on)（Ω） | 44 |
VGS(off)_min（V） | -1.4 |
VGS(off)_max（V） | -3.1 |
IDSS_min（mA） | 100 |
IC封装类型 | SOT-223 |
- 器件常开
- 高击穿电压
- 低通态电阻
- 低VGS（关断）电压
- 低温下具有低通态电阻
- 高输入阻抗
- 低输入和输出泄漏电流
- 小封装尺寸：SOT-23、SOT-89和SOT-223
CPC3960 应用
- 常开开关
- 点火模块
- 电源
- 电信
- 支持LITELINK器件
CPC3960资源
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| 产品号 | 零件描述 | RoHS | 无铅 | RoHS（2015/863/EU）认证 | REACH（SVHC）声明 | REACH（SVHC） | 无卤素 | IPC-材料声明 | |
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| CPC3960ZTR | N-CH DEPL MOSFET 600V 44 OHM SOT-223 TR | 查看更多 |
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