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IXTY02N50D
盘式MOSFET N-CH Depl Mode-Std TO-252D | 系列号：D
与普通的增强型MOSFET不同，耗尽型MOSFET需要负的栅偏压方可关闭。因此，这种器件可以保持在零栅偏压或更高的栅偏压，但同时具有与类似的MOSFET相似的特性。此类产品适用于电平移动、固态继电器、电流调节器和有效负载。
| 参数 | 数值 |
|---|---|
状态 | 有源 |
封装 类型 | TO-252 |
VDSS (V) | 500 |
VGS，关闭-最大 (V) | -5 |
RthJC（K/W） | 5 |
栅极电荷（nC） | 5 |
CISS (pF) | 120 |
ID， cont @ 25 °C （A） | 0.2 |
PD (W) | 25 |
配置 | 单相 |
CRSS (pF) | 5 |
RDS（ON），最高 @ 25 °C （Ω） | 30 |
- 常开运行
- 线性模式容限
- 内部标准封装
- 符合UL 94 V-0易燃性标准（成型环氧树脂）
IXTY02N50D 应用
- 音频放大器
- 启动电路
- 保护电路
- 斜坡发生器
- 电流调节器
- 有效负载
IXTY02N50D资源
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| 产品号 | 零件描述 | RoHS | 无铅 | RoHS（2015/863/EU）认证 | REACH（SVHC）声明 | REACH（SVHC） | 无卤素 | IPC-材料声明 | |
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