
N通道HiPerFET

N通道HiPerFET(TM)将快速整流器集成到金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的结构中,以提供较短的反向恢复时间(trr > 250ns)。Littelfuse生产的HiPerFET还可在关断时提供过压保护。因此无需使用分立式压敏电阻,从而简化了印刷电路板的设计、提高了效率并降低了热阻。N通道HiPerFET适用于硬开关和谐振模式操作,应用包括DC-DC转换器、电池充电器以及温度和照明控制。
- 提供广泛的漏极-源极额定电压范围(例如,200Vdc至1KVdc)
- 提供广泛的漏极额定电流范围(例如,10A至100A)
- 雪崩额定值具有低总栅极电荷(Qg)和低本征栅极电阻(Rg)
- 低电感
- 高功率密度
- 坚固的多晶硅栅极单元结构
- 提供各种引线和端子
- 只需一个螺钉或焊料即可轻松安装在PCB上