background-waves

IXFK38N80Q2

产品状态| 不适用于新设计i
Littelfuse Power Semi TO-264 3 H 4R 1W2N 3L image

IXFK38N80Q2

盘MSFT NCh HiPerFET-Q类TO-264（3） | 系列号：Q2类
info
Q2类HiPerFET™ MOSFET具有可实现高频运行和小型电源的切换效率。这种器件将较低的栅极电荷与双金属结构的优势相结合，打造出内部栅极电阻远低于传统MOSFET的MOSFET产品系列。

优势：

  • 安装简便
  • 高功率密度
  • 节省空间
参数数值
VDSS (V)
800
RDS（ON），最高 @ 25 °C （Ω）
0.22
ID， cont @ 25 °C （A）
38
栅极电荷（nC）
190
RthJC（K/W）
0.17
配置
单相
封装
类型
TO-264
CISS (pF)
9500
PD (W)
735
trr，最大 (ns)
250
  • 国际标准包装
  • 双金属工艺带来较低的栅极电阻
  • 雪崩能量和电流额定值
  • 快速本征整流器
  • 较低的封装电感

IXFK38N80Q2 应用

亮点部分

  • DC-DC转换器
  • 电池充电器
  • 开关模式和谐振模式电源
  • 脉冲发生
  • 激光驱动器

IXFK38N80Q2资源

TO-264-3L 3D Model
显示 1 到 1 的 1 总结果
Share
分享
产品号零件描述RoHS无铅RoHS（2015/863/EU）认证REACH（SVHC）声明REACH（SVHC）无卤素IPC-材料声明
IXFK38N80Q2盘MSFT NCh HiPerFET-Q类TO-264（3）

如果您要查找的产品环境信息未出现在此选项卡中，请填写 产品环境信息申请表。