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IXFK64N50Q3
盘MSFT NChHiPerFET-Q3 TO-264类（3） | 系列号：Q3类
Q3级系列功率MOSFET为最终用户提供具有一流功率开关性能、出色热特性、强大器件耐用性和高能效的广泛器件。Q3级系列的漏极-源极额定电压为200V-1000V，漏极电流额定值为10A-100A，具有低导通电阻（Rdson）和栅极电荷（Qg）的优化组合，可显著降低器件的传导和开关损耗。
电源开关功能和器件的耐用性通过采用我们久经考验的HiPerFETTM流程得到进一步增强，打造出一款具有快速本征整流器的器件，在提供较低反向恢复电荷（Qrr）的同时提高了器件的换向dV/dt额定值（高达50V/ns）。
优势：
- 安装简便
- 大功率密度
- 节省空间
| 参数 | 数值 |
|---|---|
VDSS (V) | 500 |
RDS（ON），最高 @ 25 °C （Ω） | 0.085 |
ID， cont @ 25 °C （A） | 64 |
栅极电荷（nC） | 145 |
RthJC（K/W） | 0.125 |
配置 | 单相 |
封装 类型 | TO-264 |
CISS (pF) | 6950 |
PD (W) | 1000 |
trr，最大 (ns) | 250 |
- 每个硅面积的低Rdson
- 低Qgand Qgd
- 卓越的dV/dt性能
- 高速开关
- 快速本征整流器
- 较低的本征栅极电阻
- 较高的雪崩能量性能
- 卓越的热性能
IXFK64N50Q3 应用
- 功率因数校正
- 电池充电器
- 开关模式和谐振模式电源
- 服务器和通信电源系统
- 弧焊
- 等离子切割
- 感应加热
- 太阳能发电系统
- 电机控制
IXFK64N50Q3资源
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| 产品号 | 零件描述 | RoHS | 无铅 | RoHS（2015/863/EU）认证 | REACH（SVHC's）声明 | REACH（SVHC's） | 无卤素 | IPC-材料声明 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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