background-waves

IXFN150N10

产品状态| 已淘汰i
更换为: |IXFN200N10P

IXFN150N10

DiscMSFT NCh HiPerFETs-Std SOT-227B(mini | 系列号:标准
info
N通道HiPerFET™标准系列包括适用于硬开关和共振模应用的备受欢迎的功率MOSFET(HiPerFET™),可提供低栅极电荷和出色的强度,并配备快速本征二极管。此系列提供多种标准工业封装,包括绝缘式封装。

优势:

  • 安装简便
  • 节省空间
  • 高功率密度
参数数值
VDSS (V)
100
RDS(ON),最高 @ 25 °C (Ω)
0.012
ID, cont @ 25 °C (A)
150
栅极电荷(nC)
360
RthJC(K/W)
0.24
配置
单相
封装
类型
SOT-227
CISS (pF)
9000
PD (W)
500
替换为产品号
IXFN200N10P
trr,最大 (ns)
150
  • 国际标准包装
  • 高电流处理能力
  • 低RDS(on) HDMOS过程
  • 雪崩评级
  • 较低的封装电感
  • 快速本征二极管

IXFN150N10 应用

亮点部分

  • DC-DC转换器
  • 电池充电器
  • 开关模式和谐振模式电源
  • 直流斩波器
  • AC电机驱动器
  • 温度和照明控制

IXFN150N10资源

显示 1 到 1 的 1 总结果
Share
产品号零件描述RoHS无铅RoHS(2015/863/EU)认证REACH(SVHC's)声明REACH(SVHC's)无卤素IPC-材料声明
IXFN150N10DiscMSFT NCh HiPerFETs-Std SOT-227B(mini

如果您要查找的产品环境信息未出现在此选项卡中,请填写 产品环境信息申请表