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IXFN150N10
DiscMSFT NCh HiPerFETs-Std SOT-227B（mini | 系列号：标准
N通道HiPerFET™标准系列包括适用于硬开关和共振模应用的备受欢迎的功率MOSFET（HiPerFET™），可提供低栅极电荷和出色的强度，并配备快速本征二极管。此系列提供多种标准工业封装，包括绝缘式封装。
优势：
- 安装简便
- 节省空间
- 高功率密度
| 参数 | 数值 |
|---|---|
VDSS (V) | 100 |
RDS（ON），最高 @ 25 °C （Ω） | 0.012 |
ID， cont @ 25 °C （A） | 150 |
栅极电荷（nC） | 360 |
RthJC（K/W） | 0.24 |
配置 | 单相 |
封装 类型 | SOT-227 |
CISS (pF) | 9000 |
PD (W) | 500 |
替换为产品号 | IXFN200N10P |
trr，最大 (ns) | 150 |
- 国际标准包装
- 高电流处理能力
- 低RDS(on) HDMOS过程
- 雪崩评级
- 较低的封装电感
- 快速本征二极管
IXFN150N10 应用
- DC-DC转换器
- 电池充电器
- 开关模式和谐振模式电源
- 直流斩波器
- AC电机驱动器
- 温度和照明控制
IXFN150N10资源
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| 产品号 | 零件描述 | RoHS | 无铅 | RoHS（2015/863/EU）认证 | REACH（SVHC's）声明 | REACH（SVHC's） | 无卤素 | IPC-材料声明 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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