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N通道线性
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N通道线性MOSFET比专为开关模式操作设计的金属氧化物半导体场效应晶体管承受更高的热应力和电应力。接通后,这些器件可确保电路中的电流稳定流动。线性操作会产生漏极-源极电压,漏极电流高到足以导致常规MOSFET失效。专门设计的线性MOSFET可抑制电热反馈,并在其电流饱和范围内可靠运行。N通道线性MOSFET的应用包括风扇控制器、脉冲发生器、电子保险丝和电流调节器。
功能与特色
提供从75Vdc到2.5kVdc的宽漏极-源极额定电压范围
提供广泛的漏极额定电流范围(例如,2A至62A)
75处的保证正向偏压安全工作区(FBSOA) ℃
雪崩额定值具有低总栅极电荷(Q
g
)和低本征栅极电阻(R
g
)
UL 94易燃性等级为V-0的环氧树脂成型件
特色
专为线性操作设计
高功率密度
提供各种引线和端子
只需一个螺钉或焊料即可轻松安装在PCB上
N通道线性零件
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技术文件
文献
MOSFET可承受线性模式操作的压力CN白皮书
MOSFET可承受线性模式作压力 EN白皮书
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