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IXTH60N20L2
盘式MOSFET N-CH线性L2 TO-247AD | 系列号：L2
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正向偏压安全工作区(RBSOA)。
当功率MOSFET以线性模式工作时，相对于传统的开关模式具有相当高的热应力和电应力，这是因为同时发生高漏极电压和电流；这些极端应力会造成普通设备出现故障。Littelfuse LinearL2™功率MOSFET旨在解决这些类型的器件故障——当电热不稳定性的正反馈被抑制时FBSOA将得到“扩展”，从而产生更大的“工作窗口”。FBSOA在75°C条件下得到保证。
| 参数 | 数值 |
|---|---|
VDSS (V) | 200 |
RDS（ON），最高 @ 25 °C （Ω） | 0.045 |
ID， cont @ 25 °C （A） | 60 |
栅极电荷（nC） | 255 |
RthJC（K/W） | 0.23 |
配置 | 单相 |
封装 类型 | TO-247 |
CISS (pF) | 10500 |
trr,typ (ns) | 330 |
PD (W) | 540 |
- 专为线性操作设计
- 75°C条件下FBSOA得到保证
- 低导通电阻RDS(on)
- 雪崩评级
- 国际标准包装
- 符合UL 94 V-0易燃性标准（成型环氧树脂）
IXTH60N20L2 应用
- 电子保险丝和热插拔电路
- 电池管理
- 电流调节器
- 线性放大器
- 风扇控制器
- 可编程负载
- 软启动控制
IXTH60N20L2资源
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| 产品号 | 零件描述 | RoHS | 无铅 | RoHS（2015/863/EU）认证 | REACH（SVHC's）声明 | REACH（SVHC's） | 无卤素 | IPC-材料声明 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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