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IXTN5N250
DiscMSFT NCh Std-VeryHiVol SOT-227B（迷你 | 系列号：超高电压
超高电压系列的N通道标准MOSFET专为要求严苛的快速切换电源转换应用设计，这类应用需要高达4.5kV的阻断电压。凭借通态电压的正温度系数，这种超高电压MOSFET适合并联工作，相比串联低压MOSFET更加经济高效。它还可减少相关栅极驱动电路，进一步简化设计，节省PCB电路板空间，并提高整体系统的可靠性。
优势：
- 安装简便
- 节省空间
- 高功率密度
| 参数 | 数值 |
|---|---|
状态 | 有源 |
VDSS (V) | 2500 |
RDS（ON），最高 @ 25 °C （Ω） | 8.8 |
ID， cont @ 25 °C （A） | 5 |
栅极电荷（nC） | 200 |
RthJC（K/W） | 0.18 |
配置 | 单相 |
封装 类型 | SOT-227 |
CISS (pF) | 8560 |
trr,typ (ns) | 1200 |
PD (W) | 700 |
- 高阻断电压
- 专有高压ISOPLUS™封装
- 高达 4.5 kV 的电气隔离 （DCB）
- 符合UL 94 V-0易燃性标准（成型环氧树脂）
IXTN5N250 应用
- 电容放电电路
- 高压电源
- 脉冲电路
- 激光和X射线发生系统
- 高压继电器断开电路
- 电网的能量吸收应用
IXTN5N250资源
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| 产品号 | 零件描述 | RoHS | 无铅 | RoHS（2015/863/EU）认证 | REACH（SVHC）声明 | REACH（SVHC） | 无卤素 | IPC-材料声明 | |
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