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N通道超级结

N-channel Super Junction MOSFETs
在漏极-源极电压额定值为600 V至800 V的固态开关中，超级结N通道MOSFET具有最低的导通电阻。Littelfuse生产多种版本的金属氧化半导体场效应晶体管。我们的设备采用第三代和第四代快速CoolMOS*技术，确保电源、DC-DC转换器和感应加热器的可靠高速切换。我们还生产多芯片超级结N沟道MOSFET，可用作降压转换器、图腾柱器件或直流斩波器。CoolMOS* 是 Infineon Technologies AG 的商标。
  • 提供600VDSS和800VDSS的漏极-源极额定电压
  • 超低导通额定电阻（例如，7mΩ、45mΩ、125mΩ）
  • 典型漏极电流（ID25）介于25A和47A之间
  • 低于250nC的门极电荷要求
  • 雪崩评级
  • 高功率密度
  • 提供肖特基二极管、超快反并联二极管或快速恢复二极管
  • 直接铜键基板隔离可降低从结到散热片的热阻
  • 国际标准包装

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