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IXTH160N10T
盘MSFT NChTrenchGate-Gen1 TO-247AD | 系列号：Gen1
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处于恶劣环境中的要求苛刻的类似应用。
优势：
- 安装简便
- 节省空间
- 高功率密度
| 参数 | 数值 |
|---|---|
VDSS (V) | 100 |
RDS（ON），最高 @ 25 °C （Ω） | 0.007 |
ID， cont @ 25 °C （A） | 160 |
栅极电荷（nC） | 132 |
RthJC（K/W） | 0.35 |
配置 | 单相 |
封装 类型 | TO-247 |
CISS (pF) | 6600 |
trr,typ (ns) | 100 |
PD (W) | 430 |
- 国际标准包装
- 低RDS(ON)
- 雪崩评级
- 高电流处理能力
- 快速本征整流器
IXTH160N10T 应用
- 开关模式和谐振模式电源
- DC-DC转换器
- 电池充电器
- 不间断电源
- AC电机驱动器
- 直流斩波器
- 高速电源开关应用
IXTH160N10T资源
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| 产品号 | 零件描述 | RoHS | 无铅 | RoHS（2015/863/EU）认证 | REACH（SVHC's）声明 | REACH（SVHC's） | 无卤素 | IPC-材料声明 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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