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IXFA110N15T2

产品状态| 有源i

IXFA110N15T2

2iscMSFT NChTrenchGate-Gen2 TO-263D2 | Series: Gen2
info

这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值,并可提供高达600安培的高电流性能(Tc=@25oC)。通过结合高电流额定值与紧凑的封装选择,这些尺寸更加小巧的器件能够控制更高的功率。此外,这些器件可通过减少或去除高功率开关应用中的多个并联低电流额定值MOSFET器件,促进器件整合。这可减少产品数量以及所需的驱动组件数量,进而改善整体系统简单性、可靠性和成本。

优点:

  • 不必采用多个并联低电流额定值MOSFET器件
  • 尺寸更加小巧,可控制更高的功率
  • 改善整体系统可靠性和成本
参数数值
VDSS (V)
150
RDS(ON),最高 @ 25 °C (Ω)
0.013
ID, cont @ 25 °C (A)
110
栅极电荷(nC)
150
RthJC(K/W)
0.31
配置
单相
封装
类型
TO-263
CISS (pF)
8600
trr,typ (ns)
85
PD (W)
480
  • 高电流性能(高达600A)
  • Low RDS(ON) and gate charge (Qg)
  • Incorporates Littelfuse HiPerFETTM technology for fast power switching performance
  • 雪崩功能

IXFA110N15T2 应用

亮点部分

  • 开关模式和谐振模式电源
  • DC-DC转换器
  • 电池充电器
  • 同步整流
  • 不间断电源
  • AC电机驱动器
  • Dc choppers
  • 高速电源开关应用

IXFA110N15T2资源

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产品号零件描述RoHS无铅RoHS(2015/863/EU)认证REACH(SVHC's)声明REACH(SVHC's)无卤素IPC-材料声明
IXFA110N15T22iscMSFT NChTrenchGate-Gen2 TO-263D2

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