链接已复制到剪贴板
IXFP180N10T2
DiscMSFT NChTrenchGate-Gen2 TO-220AB/FP | Series: Gen2
这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能（Tc=@25oC）。通过结合高电流额定值与紧凑的封装选择，这些尺寸更加小巧的器件能够控制更高的功率。此外，这些器件可通过减少或去除高功率开关应用中的多个并联低电流额定值MOSFET器件，促进器件整合。这可减少产品数量以及所需的驱动组件数量，进而改善整体系统简单性、可靠性和成本。
优点:
- 不必采用多个并联低电流额定值MOSFET器件
- 尺寸更加小巧，可控制更高的功率
- 改善整体系统可靠性和成本
| 参数 | 数值 |
|---|---|
VDSS (V) | 100 |
RDS（ON），最高 @ 25 °C （Ω） | 0.006 |
ID， cont @ 25 °C （A） | 180 |
栅极电荷（nC） | 185 |
RthJC（K/W） | 0.31 |
配置 | 单相 |
封装 类型 | TO-220 |
CISS (pF) | 10500 |
trr,typ (ns) | 66 |
PD (W) | 480 |
- 高电流性能（高达600A）
- Low RDS(ON) and gate charge (Qg)
- Incorporates Littelfuse HiPerFETTM technology for fast power switching performance
- 雪崩功能
IXFP180N10T2 应用
- 开关模式和谐振模式电源
- DC-DC转换器
- 电池充电器
- 同步整流
- 不间断电源
- AC电机驱动器
- Dc choppers
- 高速电源开关应用
IXFP180N10T2资源
链接已复制到剪贴板显示 1 到 1 的 1 总结果
分享
| 产品号 | 零件描述 | RoHS | 无铅 | RoHS（2015/863/EU）认证 | REACH（SVHC's）声明 | REACH（SVHC's） | 无卤素 | IPC-材料声明 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXFP180N10T2 | DiscMSFT NChTrenchGate-Gen2 TO-220AB/FP | 查看更多 |
如果您要查找的产品环境信息未出现在此选项卡中，请填写 产品环境信息申请表。