background-waves

IXFP12N65X2

产品状态| 有源i

IXFP12N65X2

DiscMSFT NChUltraJnctX2Class TO-220AB/FP | Series: X2级
info

这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,具有最低的导通电阻,以及低栅极电荷和卓越的dv/dt性能。其雪崩能力也增强了器件的强度。

此外,借助快速软恢复体二极管,超级结MOSFET有助于减少开关损耗和电磁干扰(EMI)。

优点:

  • 效率更高
  • 高功率密度
  • 安装简便
  • 节省空间
参数数值
VDSS (V)
650
RDS(ON),最高 @ 25 °C (Ω)
0.31
ID, cont @ 25 °C (A)
12
栅极电荷(nC)
18.5
RthJC(K/W)
0.69
配置
单相
封装
类型
TO-220
CISS (pF)
1134
trr,typ (ns)
155
PD (W)
180
  • 超低导通电阻RDS(ON)和栅极电荷Qg
  • 快速体二极管
  • dv/dt强度
  • 雪崩评级
  • 较低的封装电感
  • 国际标准包装

IXFP12N65X2 应用

亮点部分

  • 工业开关模式和谐振模式电源
  • 电动汽车电池充电器
  • Ac and dc Motor Drives
  • DC-DC转换器
  • 可再生能源逆变器
  • 电源功率因数校正(PFC)电路
  • 机器人和伺服控制

IXFP12N65X2资源

显示 1 到 1 的 1 总结果
Share
产品号零件描述RoHS无铅RoHS(2015/863/EU)认证REACH(SVHC's)声明REACH(SVHC's)无卤素IPC-材料声明
IXFP12N65X2DiscMSFT NChUltraJnctX2Class TO-220AB/FP

如果您要查找的产品环境信息未出现在此选项卡中,请填写 产品环境信息申请表