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IXTK120N65X2
DiscMSFT NChUltraJnctn X2Class TO-264(3) | Series: X2级
这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的dv/dt性能。其雪崩能力也增强了器件的强度。
此外，借助快速软恢复体二极管，超级结MOSFET有助于减少开关损耗和电磁干扰（EMI）。
优点:
- 效率更高
- 高功率密度
- 安装简便
- 节省空间
| 参数 | 数值 |
|---|---|
VDSS (V) | 650 |
RDS（ON），最高 @ 25 °C （Ω） | 0.023 |
ID， cont @ 25 °C （A） | 120 |
栅极电荷（nC） | 230 |
RthJC（K/W） | 0.1 |
配置 | 单相 |
封装 类型 | TO-264K |
CISS (pF) | 13600 |
trr,typ (ns) | 505 |
PD (W) | 1250 |
- 超低导通电阻RDS（ON）和栅极电荷Qg
- 快速体二极管
- dv/dt强度
- 雪崩评级
- 较低的封装电感
- 国际标准包装
IXTK120N65X2 应用
- 工业开关模式和谐振模式电源
- 电动汽车电池充电器
- Ac and dc Motor Drives
- DC-DC转换器
- 可再生能源逆变器
- 电源功率因数校正（PFC）电路
- 机器人和伺服控制
IXTK120N65X2资源
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| 产品号 | 零件描述 | RoHS | 无铅 | RoHS（2015/863/EU）认证 | REACH（SVHC's）声明 | REACH（SVHC's） | 无卤素 | IPC-材料声明 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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