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IXFP56N30X3

产品状态| 有源i

IXFP56N30X3

DiscMSFT NChUltrJnctX3Class TO-220AB/FP | Series: X3级
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超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,可提供出类拔萃的质量因数(导通电阻乘以栅极电荷),最大限度地降低传导和开关损耗。该系列产品表现出业内最低的导通电阻。

凭借较低的反向恢复电荷和时间,体二极管能够在高速开关期间消除所有的剩余能量,避免器件故障并提高效率。

此外,这些新型器件具有雪崩功能,并表现出一流的dv/dt性能。它们对电压尖峰造成的器件故障和MOSFET结构中固有的寄生双极晶体管意外开启具有较强的抵抗性。因此,这些坚固的器件需要较少的缓冲,并可用于硬开关功率转换器和软开关功率转换器。

参数数值
VDSS (V)
300
RDS(ON),最高 @ 25 °C (Ω)
0.027
ID, cont @ 25 °C (A)
56
栅极电荷(nC)
56
RthJC(K/W)
0.39
配置
单相
封装
类型
TO-220
CISS (pF)
3750
trr,typ (ns)
115
PD (W)
320
  • Lowest on-resistance RDS(ON) and gate charge Qg
  • 快速软恢复体二极管
  • dv/dt强度
  • 一流的雪崩功能
  • 国际标准包装

IXFP56N30X3 应用

亮点部分

  • 用于轻型电动车的电池充电器
  • Synchronous rectification in switching power supplies
  • 电机控制
  • DC-DC转换器
  • 不间断电源
  • 电动叉车
  • D级音频放大器
  • 电信系统

IXFP56N30X3资源

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产品号零件描述RoHS无铅RoHS(2015/863/EU)认证REACH(SVHC's)声明REACH(SVHC's)无卤素IPC-材料声明
IXFP56N30X3DiscMSFT NChUltrJnctX3Class TO-220AB/FP

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